企业简介
淄博美林电子有限公司成立于1990年，是一家中外合资 的二极管专业生产厂，通过QS-9000/ISO-14000/OHSMS 18000认证；产品包括整流二极管、快速二极管、肖特基二极管、稳压二极管、TVS保护器件、整流桥等。
淄博美林电子有限公司的工商信息
- 370300400001914
- 913703006132904263
- 在营（开业）企业
- 有限责任公司(中外合资)
- 1990年11月06日
- 李安
- 1182.399000
- 1990年11月06日 至 2030年11月05日
- 淄博市工商行政管理局
- 2018年05月22日
- 淄博市张店区张柳路（淄博科技工业园东南角）
- 生产整流二极管、快速整流二极管、整流桥、电子元器件，销售本公司生产的产品(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，有效期以许可证为准)。
淄博美林电子有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 淄博美林电子有限公司 | http://www.zbmcc.com |
| 网站 | 淄博美林电子有限公司 | http://www.mldz.com |
| 网站 | 淄博美林电子有限公司 | http://zbmcc.com |
淄博美林电子有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103956390B | 一种沟槽式肖特基芯片的制造方法 | 2017.01.11 | 一种沟槽式肖特基芯片的制造方法，属于半导体器件制造领域。包括N型基片（6）、位于N型基片（6）上方的 |
| 2 | CN205004327U | 一种62mmIGBT模块 | 2016.01.27 | 一种62mmIGBT模块，属于半导体技术领域。包括基板（1）以及设置在基板（1）一侧的多个焊盘（4） |
| 3 | CN205004334U | 一种34mmIGBT模块 | 2016.01.27 | 一种34mmIGBT模块，属于半导体技术领域。包括基板（1），在基板（1）上设置有多个用于焊接芯片的 |
| 4 | CN103094331B | 高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT | 2016.01.06 | 高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT，属于半导体器件制造技术领域。包括主体P+Substrate（ |
| 5 | CN103077967B | 一种高效率平面式绝缘栅双极型晶体管IGBT | 2016.01.06 | 一种高效率平面式绝缘栅双极型晶体管IGBT，属于半导体器件制造技术领域。包括主体P+Substrat |
| 6 | CN105118790A | 一种碳化硅二极管的耐高温封装框架制备方法 | 2015.12.02 | 一种碳化硅二极管的耐高温封装框架制备方法，属于半导体器件制造设备领域。其特征在于，低温烧结步骤的具体 |
| 7 | CN204809217U | 一种碳化硅二极管的封装框架 | 2015.11.25 | 一种碳化硅二极管的封装框架，属于半导体器件制造设备领域。包括框架主体（1）和引脚（6），其特征在于： |
| 8 | CN204760389U | 一种沟槽式IGBT芯片 | 2015.11.11 | 一种沟槽式IGBT芯片，属于半导体器件制造领域。包括P型注入区（9）以及其上方的N型缓冲区（8）、N |
| 9 | CN104952920A | 一种沟槽式IGBT芯片 | 2015.09.30 | 一种沟槽式IGBT芯片，属于半导体器件制造领域。包括P型注入区（9）以及其上方的N型缓冲区（8）、N |
| 10 | CN203850304U | 一种IGBT芯片 | 2014.09.24 | 一种IGBT芯片，属于半导体器件制造领域。包括P型基片（2）、P型基片（2）上方的N型外延层（1）、 |
| 11 | CN203850309U | 一种沟槽式肖特基芯片 | 2014.09.24 | 一种沟槽式肖特基芯片，属于半导体器件制造领域。包括N型基片（6）、位于N型基片（6）上方的N型外延层 |
| 12 | CN103956380A | 一种IGBT芯片及其制造方法 | 2014.07.30 | 一种IGBT芯片及其制造方法，属于半导体器件制造领域。包括P型基片（2）、P型基片（2）上方的N型外 |
| 13 | CN103956390A | 一种沟槽式肖特基芯片及其制造方法 | 2014.07.30 | 一种沟槽式肖特基芯片及其制造方法，属于半导体器件制造领域。包括N型基片（6）、位于N型基片（6）上方 |
| 14 | CN102263128B | 一种IGBT | 2014.04.09 | 一种IGBT，属于半导体器件制造技术领域。包括半导体基板上的有源区（101）和边缘区（102），有源 |
| 15 | CN203205425U | 高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT | 2013.09.18 | 高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT，属于半导体器件制造技术领域。包括主体P+Substrate（ |
| 16 | CN203205424U | 一种高效率平面式绝缘栅双极型晶体管IGBT | 2013.09.18 | 一种高效率平面式绝缘栅双极型晶体管IGBT，属于半导体器件制造技术领域。包括主体P+Substrat |
| 17 | CN203165900U | 一种高耐压肖特基芯片 | 2013.08.28 | 一种高耐压肖特基芯片，属于半导体器件制造技术领域。包括顶部金属层（1）、顶部金属层（1）下方的肖特基 |
| 18 | CN203165902U | 一种高效率、高耐压肖特基芯片 | 2013.08.28 | 一种高效率、高耐压肖特基芯片，属于半导体器件制造技术领域。包括顶部金属层（1）、顶部金属层（1）下方 |
| 19 | CN102280485B | 一种小体积高耐压MOSFET | 2013.07.10 | 一种小体积高耐压MOSFET，属于半导体器件制造技术领域。包括半导体基板上的有源区(101)和边缘区 |
| 20 | CN203055917U | 一种高效率肖特基芯片 | 2013.07.10 | 一种高效率肖特基芯片，属于半导体器件制造技术领域。包括顶部金属层（1）、顶部金属层（1）下方的肖特基 |
| 21 | CN103094331A | 高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT | 2013.05.08 | 高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT，属于半导体器件制造技术领域。包括主体P+Substrate（ |
| 22 | CN103077967A | 一种高效率平面式绝缘栅双极型晶体管IGBT | 2013.05.01 | 一种高效率平面式绝缘栅双极型晶体管IGBT，属于半导体器件制造技术领域。包括主体P+Substrat |
| 23 | CN103022137A | 一种高效率肖特基芯片 | 2013.04.03 | 一种高效率肖特基芯片，属于半导体器件制造技术领域。包括顶部金属层（1）、顶部金属层（1）下方的肖特基 |
| 24 | CN202855730U | 一种双向散热的IGBT模块 | 2013.04.03 | 一种双向散热的IGBT模块，属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种新型NOW PAK IGBT（绝 |
| 25 | CN103022090A | 一种高效率、高耐压肖特基芯片 | 2013.04.03 | 一种高效率、高耐压肖特基芯片，属于半导体器件制造技术领域。包括顶部金属层（1）、顶部金属层（1）下方 |
| 26 | CN103000668A | 一种高耐压肖特基芯片 | 2013.03.27 | 一种高耐压肖特基芯片，属于半导体器件制造技术领域。包括顶部金属层（1）、顶部金属层（1）下方的肖特基 |
| 27 | CN102832146A | 一种IGBT模块封装工艺及双向散热的IGBT模块 | 2012.12.19 | 一种IGBT模块封装工艺及双向散热的IGBT模块，属于半导体器件制造技术领域。包括如下步骤：步骤1. |
| 28 | CN202205756U | 一种小体积高耐压MOSFET | 2012.04.25 | 一种小体积高耐压MOSFET，属于半导体器件制造技术领域。包括半导体基板上的有源区(101)和边缘区 |
| 29 | CN202159669U | 一种小体积高耐压IGBT | 2012.03.07 | 一种小体积高耐压IGBT，属于半导体器件制造技术领域。包括半导体基板上的有源区(101)和边缘区(1 |
| 30 | CN202094096U | 一种KBP晶粒摇盘装填装置 | 2011.12.28 | 一种KBP晶粒摇盘装填装置，包括晶粒摇盘、晶粒吸笔、真空泵；晶粒摇盘内部为中空，上部表层设有第一晶粒 |
| 31 | CN102280485A | 一种小体积高耐压MOSFET | 2011.12.14 | 一种小体积高耐压MOSFET，属于半导体器件制造技术领域。包括半导体基板上的有源区(101)和边缘区 |
| 32 | CN102263128A | 一种小体积高耐压IGBT | 2011.11.30 | 一种小体积高耐压IGBT，属于半导体器件制造技术领域。包括半导体基板上的有源区(101)和边缘区(1 |
| 33 | CN202042468U | 洗模引线摆料盘 | 2011.11.16 | 洗模引线摆料盘，属于半导体器件制造用工具领域。主要用于导线式二极管系列产品在清洗模具时洗模线的摆放。 |
| 34 | CN202042465U | 打扁引线二极管清洗盘 | 2011.11.16 | 一种打扁引线二极管清洗盘，属于半导体器件制作用具领域。包括酸洗盘和在酸洗盘上成排均布的沉孔，其特征在 |
| 35 | CN202042523U | 制作二极管用组合式铜粒和晶粒预焊板 | 2011.11.16 | 制作二极管用组合式铜粒和晶粒预焊板，属于半导体器件封装领域。包括预焊板(1)和引线装载板(6)，所述 |
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